工作效率高，能力强。

英语(良好)

2018-09至今——公司:深圳国微电子
职位: 系统工程师

工作描述：对华东客户群体进行售前售后技术支持，涉及产品FPGA，存储器，总线驱动，接口类芯片，电源类芯片等。

2018-01至2018-08——公司:南通东方赛光电
职位: 高级硬件工程师

工作描述：工作职责：方案设计，器件选型，线路＆layout ，bom产出，制板贴片跟踪，硬件调试。
熟练使用candence allegro工具进行原理图绘制，8~10层高速板layout。熟悉x86，arm，fpga架构和多种总线协议

2014-08至2018-01——公司:上海环旭电子(5000-10000人)
行业:电子技术/半导体/集成电路
性质:上市公司
部门:  产品开发部
职位: 产品工程师

工作描述：apple watch 试产阶段不良分析，协助apple RD design in， push 产线顺利进入量产，根据试产状况修改线路及layout以及信号validation。 熟练运用示波器，信号发生器，热投影仪等debug 工具，有系统的线路分析能力和硬件debug 能力。
负责RMA case 的FA 分析工作，找出root cause， 完成FA report， 与客人开会review。

2013-07至2014-08——公司:南通恩力能源(50-150人)
行业:电子技术/半导体/集成电路
性质:民营公司
部门:  RD
职位: 硬件工程师

工作描述：智能家庭储能系统，独自完成其中的BMS(NXP LPC1768 ARM CPU)，充放电板的研发工作，涉及工作内容从前期方案选定，器件选型，采购零件，线路&layout， 选定PCB 厂商制版，手焊样板调试， 选定SMT 厂并随线贴片批量试产板，单板调试，系统组装调试，编写产品规格书等一系列工作。 熟练运用Altium Designer EDA 进行4,6层板线路&layout。熟练掌握CAN，UART，USB，I2C 等常用接口及电力电子中高压，大电流充放电设计。

2011-03至2013-07——公司:南通万徳触控(500-1000人)
行业:电子技术/半导体/集成电路
性质:外资（非欧美）
部门:  RD
职位: 部门主管

工作描述：2011~2012：主要负责触摸屏的线路，layout及firmware 调试。完成多个项目包括摩托罗拉，金立，酷派，波导，foxconn 等客户。了解多款主流触控芯片（Atmel，goodix, focal, NOV,Cypress,EETI）
2012~2013:  担任硬件课课长，负责新人培训，任务分配，与厂商及客户沟通，保证项目顺利进行。
在万德完成了从电阻屏向电容屏的转产，熟练运用Altium Designer EDA 进行 建库，画线路，layout ，gerber 及SMT资料输出等硬件工作。熟悉C语言，使用51单片机些I2C 程序与触控IC 沟通，读取报点坐标等，完成触摸屏firmware 调试。后期多次前往天津，北京，深圳，宁波，广州等地出差，维系客户及厂商关系。

2007-07至2011-03——公司:上海广达电脑(500-1000人)
行业:计算机硬件
性质:合资
部门:  硬件研发工程师
职位: RD

工作描述：2007~2009：担任三个项目的硬件工程师， 包括Intel Santa Rosa platform,AMD REV G platform,Intel Montevina platform。
主要负责研发阶段硬件debug，信号验证，解决ESD，EMI等问题，与机构，软体，产线，及各个实验室cowork，保证项目顺利量产
2010~1011：担任硬件leader
主要负责：线路，layout 确认，确保研发阶段各个issue 解决，参与客户close meeting， 与多个部门协同工作保证项目顺利进行。
4年的经验让我掌握线路，6/8层板layout， 多种总线协议（ HDMI Ethernet LVDS SATA PCIE RAM USB Clock High Speed Bus），SDA，EMI debug， System Validation,hardware Issue Debug等等。

关键字：	硬件

2003-09至2007-07——吉林大学
电子科学与技术 本科
数字电路，模拟电路，半导体物理，半导体器件，半导体制程及测试，光电子教程，C语言相关。

2005-12——大学英语四级:512
2005-04——全国计算机等级二级:合格

2006-08至2006-09——吉林大学  吉林大学
拉单晶实验
拉单晶
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2006-03至2006-05——吉林大学  吉林大学
半导体器件性能测试
对半导体器件如PN结,BJT,肖特基势垒二极管,JFET,MESFET以及MOS管的电性进行测试.
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2006-03至2006-05——吉林大学  吉林大学
半导体平面工艺实验
光刻PN结